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Thick oxide MOS transistors for ionizing radiation dose measurement

  • G. SARRABAYROUSE and F. GESSINN (a1)

Abstract

Les principales propriétés des dosimètres de rayonnement métal-oxyde-semi-conducteur (MOS) sont décrites. Nous présentons les résultats obtenus pour la sensibilité et la stabilité des dosimètres à oxyde de grille épais qui montrent que ce composant a des applications en dosimétrie des personnels et en médecine. Nous discuterons brièvement les améliorations possibles de la sensibilité.

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